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山西光學(xué)薄膜射頻離子源廠家

發(fā)布時(shí)間:2024-11-25 05:49:45   來源:上海金頂廣告有限公司   閱覽次數(shù):75391次   

【真空鍍膜機(jī)電控柜的操作】1、玻璃真空鍍膜機(jī)開水泵、氣源2、開總電源3、開維持泵、真空計(jì)電源,真空計(jì)檔位置V1位置,等待其值小于10后,再進(jìn)入下一步操作。約需5分鐘。4、開機(jī)械泵、予抽,開渦輪分子泵電源、啟動(dòng),真空計(jì)開關(guān)換到V2位置,抽到小于2為止,約需20分鐘。5、觀察渦輪分子泵讀數(shù)到達(dá)250以后,關(guān)予抽,開前機(jī)和高閥繼續(xù)抽真空,抽真空到達(dá)一定程度后才能開右邊的高真空表頭,觀察真空度。真空到達(dá)2×10-3以后才能開電子qiang電源。真空鍍膜機(jī)廠家排名。山西光學(xué)薄膜射頻離子源廠家

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【真空鍍膜機(jī)清洗工藝之紫外線輻照清洗】利用紫外輻照來分解表面上的碳?xì)浠衔?。例如,在空氣中照?5h就可產(chǎn)生清潔的玻璃表面。如果把適當(dāng)預(yù)清洗的表面放在一個(gè)產(chǎn)生臭氧的紫外線源中.要不了幾分鐘就可以形成清潔表面(工藝清潔)。這表明臭氧的存在增加了清潔速率。其清洗機(jī)理是:在紫外線照射下,污物分子受激并離解,而臭氧的生成和存在產(chǎn)生高活性的原子態(tài)氧。受激的污物分子和由污物離解產(chǎn)生的自由基與原子態(tài)氧作用.形成較簡(jiǎn)單易揮發(fā)分子.如H203、CO2和N2.其反應(yīng)速率隨溫度的增加而增加。山西光學(xué)鍍膜射頻離子源價(jià)格成都國泰真空鍍膜機(jī)怎么樣?

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【真空鍍膜機(jī)檢漏之氣壓檢漏】氣壓檢漏被檢零部件內(nèi)腔充以氣體(一般為空氣),充氣壓力的高低視零部件的強(qiáng)度而定,一般為(2~4)×105帕。充壓后的零部件如發(fā)出明顯的嘶嘶聲,音響源處就是漏孔位置。用這種方法可檢較小漏率為5帕·升/秒的漏孔。如不能用聲音直接察覺漏孔,則用皂液涂于零部件可疑表面處,有氣泡出現(xiàn)處便是漏孔位置。用這種方法較小可檢漏率為5×10-3帕·升/秒的漏孔。此外,還可將充氣的零部件浸在清凈的水槽中,氣泡形成處便是漏孔位置。用水槽顯示漏孔,方便可靠,并能同時(shí)全部顯示出漏孔位置。如氣泡小、成泡速度均勻、氣泡持續(xù)時(shí)間長(zhǎng),則為×10-2~13帕·升/秒漏率的漏孔。如氣泡da、成泡持續(xù)時(shí)間短,則為13~103帕·升/秒漏率的漏孔。

【真空鍍膜之磁控濺射】在陰極靶表面形成一正交電磁場(chǎng),在此區(qū)電子密度高,進(jìn)而提高離子密度,使得濺鍍率提高(一個(gè)數(shù)量級(jí)),濺射速度可達(dá)0.1—1um/min膜層附著力較蒸鍍佳,是目前實(shí)用的鍍膜技術(shù)之一。其它有偏壓濺射、反應(yīng)濺射、離子束濺射等鍍膜技術(shù)濺鍍機(jī)設(shè)備與工藝濺鍍機(jī)由真空室,排氣系統(tǒng),濺射源和控制系統(tǒng)組成。濺射源又分為電源和濺射qiang(sputtergun)。磁控濺射qiang分為平面型和圓柱型,其中平面型分為矩型和圓型,靶材料利用率30-40%,圓柱型靶材料利用率>50%濺射電源分為:直流(DC)、射頻(RF)、脈沖(pulse),直流:800-1000V(Max)導(dǎo)體用,須可災(zāi)弧。射頻:13.56MHZ,非導(dǎo)體用。脈沖:泛用,新發(fā)展出真空鍍膜機(jī)的工作原理和構(gòu)成。

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本申請(qǐng)中涉及的一種射頻離子源離子束束徑控制裝置具體包括一真空腔體5、控制器6以及設(shè)于真空腔體5中的離子束發(fā)生器7、束徑約束器0和驅(qū)動(dòng)器8,該束徑約束器0即采用葉片2進(jìn)行光闌3大小調(diào)整的束徑約束器0,該束徑約束器0設(shè)置在離子束發(fā)生器7前端,驅(qū)動(dòng)器8與束徑約束器0的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)相連以控制驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)動(dòng)作,控制器6分別與束徑約束器0及驅(qū)動(dòng)器8相連。本實(shí)施例中,真空腔體5的真空度×10-3pa以上,驅(qū)動(dòng)器8為微型電機(jī),離子束發(fā)生器7包括離子束發(fā)生器外壁71以及位于離子束發(fā)生器外壁71內(nèi)并位于離子束前端的平面柵網(wǎng)72,控制器6為計(jì)算機(jī),在計(jì)算機(jī)中編寫matlab控制代碼,通過代碼程序執(zhí)行,微型電機(jī)啟動(dòng),并控制驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)動(dòng)作,也即對(duì)伺服電機(jī)45進(jìn)行控制,伺服電機(jī)45使用絕對(duì)式編碼器進(jìn)行定位,伺服電機(jī)45驅(qū)動(dòng)齒輪44轉(zhuǎn)動(dòng)并通過齒圈43帶動(dòng)滑環(huán)41旋轉(zhuǎn),滑環(huán)41旋轉(zhuǎn)時(shí),通過導(dǎo)槽42帶動(dòng)葉片2繞固定軸23轉(zhuǎn)動(dòng),從而使葉片2的尾端22相交組成的光闌3的孔徑大小發(fā)生變化,也即實(shí)現(xiàn)離子束束徑的調(diào)節(jié),**后將光闌3的孔徑大小信息反饋給計(jì)算機(jī)。束徑約束器0采用附圖中的設(shè)置方向時(shí),滑環(huán)41順時(shí)針旋轉(zhuǎn)時(shí),光闌3孔徑減小,滑環(huán)41逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)時(shí),光闌3孔徑變大。成都真空鍍膜機(jī)的生產(chǎn)廠家。北京離子束刻蝕射頻離子源

射頻離子源采用高頻電場(chǎng)來加速和離子化氣體分子,產(chǎn)生高能離子束。山西光學(xué)薄膜射頻離子源廠家

【真空鍍膜技術(shù)專業(yè)詞匯】真空鍍膜vacuumcoating:在處于真空下的基片上制取膜層的一種方法?;瑂ubstrate:膜層承受體。試驗(yàn)基片testingsubstrate:在鍍膜開始、鍍膜過程中或鍍膜結(jié)束后用作測(cè)量和(或)試驗(yàn)的基片。鍍膜材料coatingmaterial:用來制取膜層的原材料。蒸發(fā)材料evaporationmaterial:在真空蒸發(fā)中用來蒸發(fā)的鍍膜材料。濺射材料sputteringmaterial:有真空濺射中用來濺射的鍍膜材料。膜層材料(膜層材質(zhì))filmmaterial:組成膜層的材料。蒸發(fā)速率evaporationrate:在給定時(shí)間間隔內(nèi),蒸發(fā)出來的材料量,除以該時(shí)間間隔濺射速率sputteringrate:在給定時(shí)間間隔內(nèi),濺射出來的材料量,除以該時(shí)間間隔。沉積速率depositionrate:在給定時(shí)間間隔內(nèi),沉積在基片上的材料量,除以該時(shí)間間隔和基片表面積。鍍膜角度coatingangle:入射到基片上的粒子方向與被鍍表面法線之間的夾角。山西光學(xué)薄膜射頻離子源廠家

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